行业
美光 G11 存储芯片:容量翻倍、能效提升
导读
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据,堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上,传输速度最高提升 1.5 倍,每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD,预计 2027 年下半年量产,搭载 G11 的硬盘会更晚上市,美光未透露每 GB 成本降幅。
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美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据,堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上,传输速度最高提升 1.5 倍,每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD,预计 2027 年下半年量产,搭载 G11 的硬盘会更晚上市,美光未透露每 GB 成本降幅。